ASDM30P11TD-R دیتاشیت

ASDM30P11TD-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ASDM30P11TD-R
حجم فایل 75.197 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت ASDM30P11TD-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Ascend ASDM30P11TD-R
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 31.2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 61nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.482nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 55A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 309pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.4mΩ@10V,20A
  • Package: DFN-8(3x3)
  • Manufacturer: Ascend

محصولات مشابه